IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S5L280DATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L018ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $1.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
パッケージ PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-43 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel Trench MOSFET
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
ピン数 8 —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: ID at Tc]
Maximum RDS(on) at VGS=10 V — 1.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C — 169 W
Qualification — Automotive (per Infineon part description)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V

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