IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N011ATMA1 メーカー: Infineon および IAUT300N10S5N015ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.40 $4.10
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V —
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
動作温度範囲 -55C to +175C -55°C to +175°C
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

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