IAUT300N08S5N012ATMA2 vs BSC117N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon および BSC117N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中
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BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N012ATMA2 BSC117N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
パッケージ PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
ピン数 — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

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