IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUTN04S7N004ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N027GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.05 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive Automotive
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
パッケージ / ケース — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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