IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ20N08S5L300ATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N08S5N100ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ 生産中
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IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) 20 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 30 W (Tc) —
On-State Resistance (Rds(on)) 30 mΩ @ 10 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) ±20 V (max Vgs rating) —
Input Capacitance (Ciss) 599 pF @ 40 V —
Total Gate Charge (Qg) 10.5 nC @ 10 V —
動作接合温度 -55°C to +175°C —
パッケージ PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-5) OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (TJ)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Channel Type — N-Channel

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