IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ30N06S5L140ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ060NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | BSZ060NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.96 | $0.27 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 33 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 14 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 888 pF @ VDS=30 V | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作接合温度 | -55°C to +175°C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ060NE2LSATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 44 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 26 W |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| MSLレベル | — | 1 |
| Shipping Packaging | — | Tape & Reel |