IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs IPD090N03LGATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ30N06S5L140ATMA1 メーカー: Infineon および IPD090N03LGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ 生産中
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IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ30N06S5L140ATMA1 IPD090N03LGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.96 $0.34
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 33 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 14 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 12.2 nC @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance (Coss) 888 pF @ VDS=30 V [DATA_NEEDED: Coss]
パッケージ PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55°C to +175°C —
Technology Family OptiMOS 5 OptiMOS 30V
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage Max ±20 V —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 40 A
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Id]
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 42 W
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A — 9 mOhm (typical)
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Configuration — Single

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