IPB068N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB068N20NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC151N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 - 200V 68mOhm N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPB068N20NM6ATMA1 - 200V 68mOhm N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPB068N20NM6ATMA1 ✓ 生産中
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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB068N20NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.99 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 6 charge-compensation trench OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 15.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 134 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 68 milliohm 15.1 mΩ
RDS(on) Improvement vs Prior Generation 42% lower —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) PG-TDSON-8 FL
ピン数 3 (2 + tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Tape and Reel Packaging Yes (ATMA1 suffix = T&R) —
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
ピン数 — 8
Channel Mode — Enhancement
動作温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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