IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB100N04S4H2ATMA1 メーカー: Infineon および IPC100N04S5L1R5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB100N04S4H2ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.42 $1.18
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260C peak reflow) MSL1 (260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
動作温度範囲 — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS ステータス — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100%

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