IPB120N04S402ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB120N04S402ATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPB120N04S402ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.85 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 158 W | — |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| パッケージ | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (2 + Tab) | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| 湿気感度レベル（MSL） | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |