IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R165CPATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R385CPATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R165CPATMA1 IPD60R385CPATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.78 $0.42
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (Pb-free lead plating) Compliant
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
動作接合温度 — -55 °C to +150 °C
パッケージ / ケース — PG-TO252-3 (DPAK)
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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