IPD060N03LGATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD060N03LGATMA1 メーカー: Infineon および IPD135N03LGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ 生産中
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD060N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.20 $0.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) 200 A —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max) —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg, typ) 21 nC —
Output Charge (Qoss, typ) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 56 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) 2.5 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) 62 C/W —
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Packing Tape & Reel (T/R), 2500 per reel —
AEC-Q101 / Automotive Grade Not qualified —
Technology / Generation OptiMOS 30V, trench MOSFET —
Series — OptiMOS™
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
動作温度範囲 — -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

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