IPD50N06S409ATMA2 vs IPD028N06NF2SATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD028N06NF2SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 - 60V 139A 2.85mΩ OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD028N06NF2SATMA1 - 60V 139A 2.85mΩ OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD028N06NF2SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD028N06NF2SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.62
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ピン数 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain-tab, Source)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD028N06NF2SATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 139 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
動作接合温度範囲 — -55 C to +175 C
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing — Tape & Reel (T&R)

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