IPP100N12S305AKSA2 vs IPP60R180P7XKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP100N12S305AKSA2 メーカー: Infineon および IPP60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP100N12S305AKSA2 IPP60R180P7XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.78 $1.30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 3.5 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
動作温度範囲 -55C to +175C (TJ) -55 °C to +150 °C
パッケージ PG-TO220-3-1 (Through Hole) PG-TO220-3 (through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル N/A (Through Hole) N/A (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes
Technology — CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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