IPP60R180P7XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPP60R190P6XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ 生産中
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP60R180P7XKSA1 IPP60R190P6XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.30 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル N/A (through-hole) Not applicable (through-hole)
Product Family — CoolMOS P6
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

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