IPT015N10NF2SATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 比較
詳細な並列比較: IPT015N10NF2SATMA1 メーカー: Infineon および IQE018N06NM6CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPT015N10NF2SATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.10 | $1.21 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| パッケージ | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| 単一パルスアバランシェエネルギー | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |