IQDH35N03LM5CGATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 比較
詳細な並列比較: IQDH35N03LM5CGATMA1 メーカー: Infineon および ISC011N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IQDH35N03LM5CGATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.45 | $0.47 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| 動作温度 | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |