IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較
詳細な並列比較: IQDH35N03LM5SCATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.05 | $0.94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| パッケージ | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55 C to +175 C | — |
| MSLレベル | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |