IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQE050N08NM5CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.31 $1.75
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
消費電力(TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (TJ) —
パッケージ PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
動作温度 — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼