IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 比較
詳細な並列比較: IQE065N10NM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQDH88N06LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.28 | $2.31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| パッケージ | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 (trench) |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| 連続ドレイン電流（TC=25°C） | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| 消費電力（TC=25°C） | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| ピン数 | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |