IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGATMA1 比較
詳細な並列比較: IQE220N15NM5ATMA1 メーカー: Infineon および IQE220N15NM5CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQE220N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.84 | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| 出力構成 | Single N-Channel | — |
| パッケージ | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Trench MOSFET, OptiMOS 5 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 22 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +175C (estimated from Tj max) |
| ピン数 | — | 9 (TTFN) |