IRF3710STRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF3710STRLPBF メーカー: Infineon および IRFZ48NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF3710STRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.23 $1.18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 54 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

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