IRF7380TRPBF vs IRF7105TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7380TRPBF メーカー: Infineon および IRF7105TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF - Dual N-Ch 80V 3.6A MOSFET, SO-8 | Infineon

IRF7380TRPBF - Dual N-Ch 80V 3.6A MOSFET, SO-8 | Infineon

IRF7380TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7380TRPBF IRF7105TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.30
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A —
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
パッケージ SO-8 (8-SO, SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) —
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant
ピン数 — 8

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