IRFB3306PBF vs IRLB4132PBF 比較

詳細な並列比較: IRFB3306PBF メーカー: Infineon および IRLB4132PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFB3306PBF IRLB4132PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $0.62
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C —
パッケージ TO-220AB (through-hole) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes —
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
パッケージ / ケース — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

データシート&リソース

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