IRFB4020PBF vs IRFP3710PBF 比較

詳細な並列比較: IRFB4020PBF メーカー: Infineon および IRFP3710PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFB4020PBF IRFP3710PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $1.86
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
動作接合温度 175 C (max) —
パッケージ TO-220AB (through-hole) TO-247AC (3-pin + tab)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET, Fifth Generation
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 57 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 200 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) Max — 25 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) Typical — 66.7 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
動作温度範囲 — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Rating — Fully Avalanche Rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt Rated
Lead-Free — Yes
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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