IRFH7084TRPBF vs IRLH5030TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFH7084TRPBF メーカー: Infineon および IRLH5030TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFH7084TRPBF IRLH5030TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.45 $1.15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (TJ) —
パッケージ 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant —
ハロゲンフリー Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

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