IRFR220NTRLPBF vs IRFR3806TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NTRLPBF メーカー: Infineon および IRFR3806TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR220NTRLPBF IRFR3806TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.52
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 22 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
パッケージ TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) Yes (HEXFET family)
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
パッケージ / ケース — TO-252AA (DPAK)
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

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