IRFR2405TRLPBF vs IRFR2405TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR2405TRLPBF メーカー: Infineon および IRFR2405TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ 生産中
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.55 $0.61
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) —
パッケージ TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
動作接合温度 — -55C to +175C
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSLレベル — 1
RoHS ステータス — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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