IRFR9024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9024NTRPBF メーカー: Infineon および IRFR3710ZTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR9024NTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.17 $0.58
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 69 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
動作温度 — -55 C to +175 C (TJ)

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