IRFS4010TRLPBF vs IRF5305STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFS4010TRLPBF メーカー: Infineon および IRF5305STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF ✓ 生産中
Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS4010TRLPBF IRF5305STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.92
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263AB), surface mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル 1 —
Qualification JEDEC standard —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix PBF)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼