IRFZ44NPBF vs IRF1407PBF 比較

詳細な並列比較: IRFZ44NPBF メーカー: Infineon および IRF1407PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFZ44NPBF IRF1407PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.86
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS ステータス Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

データシート&リソース

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