IRLB4132PBF vs IRFB3306PBF 比較

詳細な並列比較: IRLB4132PBF メーカー: Infineon および IRFB3306PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLB4132PBF IRFB3306PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ / ケース TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — IR HEXFET (MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 120 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ — 26 nC (nominal)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 230 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
パッケージ — TO-220AB (through-hole)
RoHS / Lead-Free (PbF) — Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes
Body Diode — Intrinsic (avalanche-rated)

データシート&リソース

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