IRLR3105TRPBF vs IRLR2705TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR3105TRPBF メーカー: Infineon および IRLR2705TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR3105TRPBF IRLR2705TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.36
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 16.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
パッケージ TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
RoHS ステータス Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
動作接合温度 — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]

データシート&リソース

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