ISC015N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC015N03LF2SATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 ✓ 生産中
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ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.96 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 43 A 33 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 214 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.35 V —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 125 W —
パッケージ PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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