ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC037N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5L054ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC037N12NM6ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.62 $1.92
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-TDSON-8-34 (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

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