ISC0802NLSATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC0802NLSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ070N08LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ 生産中
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC0802NLSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.80 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Number ISC0802NLSATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 150 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.6 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 125 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS™ 5 (80 V logic-level)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 74 A (Tc, per datasheet)
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si — [DATA_NEEDED: TA-rated ID]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 7 mΩ
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive compatible with 4.5 V)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total Qg]
Power Dissition PD max at TC — 69 W
動作接合温度 — -55 °C to +150 °C
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow)
Avalanche Rated — Yes
Reel Quantity — 5000 per 13-inch reel (T&R)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼