K3KL3L30CM-BGCU vs K3KL3L30DM-BGCU 比較
詳細な並列比較: K3KL3L30CM-BGCU メーカー: Samsung Electronics および K3KL3L30DM-BGCU メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K3KL3L30CM-BGCU | K3KL3L30DM-BGCU |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.00 | $45.94 |
| メモリタイプ | LPDDR5X SDRAM (Volatile DRAM) | LPDDR5X DRAM |
| メモリサイズ | 64 Gb (8 GB) | — |
| データレート | 8533 Mbps | 8533 Mbps |
| Memory Organization | x64 | — |
| Technology | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5X-class low-power DRAM) | — |
| パッケージ | FBGA-496 (BGCU) | 496-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Configuration | Stacked multi-die DRAM | — |
| インターフェース | LPDDR5X (standard LPDDR ball interface) | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Application Segment | AI devices and automotive | Mobile, consumer electronics, embedded systems |
| Power Efficiency | Approx. 25% better than previous LPDDR5 generation (per Samsung) | — |
| Speed Improvement | Up to 1.25x faster than previous generation (per Samsung) | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25 C to +85 C |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Place of Origin (per distributor listing) | Johor, Malaysia | — |
| Density | — | 64 Gb |
| メモリ構成 | — | x64 |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Product Status | — | EOL |
| ブランド | — | Samsung Semiconductor |