K3LK4L40DM-BGCT vs K3KL2L20DM-JGCT 比較
詳細な並列比較: K3LK4L40DM-BGCT メーカー: Samsung Electronics および K3KL2L20DM-JGCT メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K3LK4L40DM-BGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $40.50 | $20.80 |
| メモリタイプ | DRAM (SDRAM component) | LPDDR5X SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | 48 Gb |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| データレート | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -25C to +85C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| メモリ構成 | — | x64 |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| パッケージ | — | 441-ball FBGA |
| インターフェース | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |