K4A4G165WF-BCTD vs K3LK4L40DM-BGCT 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WF-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K3LK4L40DM-BGCT メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WF-BCTD | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.20 | $40.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DRAM (SDRAM component) |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| インターフェース | SSTL-12 | — |
| パッケージ | FBGA-96 (PBGA96) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 特長 | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| データレート | — | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |