K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ
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K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 ラストバイ 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $50.85 $5.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 2666 Mbps (PC4-2133) [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) 78-pin FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
インターフェースタイプ Synchronous, parallel —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
電源電圧 — 1.2 V
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

データシート&リソース

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