K4B4G1646D-BCK0 vs K4B4G1646D-BMK0 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BMK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ 生産中
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K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BMK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.30 $5.90
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 —
データレート 1600 Mbps per pin 1600 Mbps
Clock Frequency 800 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
CASレイテンシ 11 (programmable) —
Burst Length 8, 4 —
パッケージ 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96FBGA (TFBGA)
動作温度 0°C to 95°C (Tc) -40°C to 95°C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
RoHS Compliant — Yes
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

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