K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $3.10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| データレート | 1600 Mbps/pin | — |
| 電源電圧 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CASレイテンシ | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| データバス幅 | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |