K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF70T00 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF55T メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-GF70T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF70T00
ブランド Samsung Electro-Mechanics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.85
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
メモリ構成 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 70 ns
電源電圧 5.0 V 5 V
インターフェース Parallel Parallel
Process Technology Full CMOS —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ 28-SOP (450 mil) 28-SOP
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported (per datasheet) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Address Bus Width 15 bit —
データバス幅 8 bit —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T suffix) Tape & Reel (T00 suffix)
Technology — CMOS
I/O Type — Common Data I/O, TTL compatible
Clock / Refresh — Fully static, no clock or refresh required

データシート&リソース

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