K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-GF55T 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF70T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-GF55T メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ 生産中
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K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF55T
ブランド Samsung Electro-Mechanics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.85
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
メモリ構成 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 55 ns
インターフェース Parallel Parallel
Technology CMOS —
電源電圧 5 V 5.0 V
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] [DATA_NEEDED: active current]
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) Tape & Reel (T suffix)
Process Technology — Full CMOS
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Address Bus Width — 15 bit
データバス幅 — 8 bit

データシート&リソース

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