K9HUGY8J5B-BCK0 vs K9KUGY8J7C-BCK0 比較

詳細な並列比較: K9HUGY8J5B-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9KUGY8J7C-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 ✓ 生産中
Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9HUGY8J5B-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $9.55
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9HUG (V-NAND flash) —
メモリタイプ NAND Flash (3D V-NAND) NAND Flash (TLC V-NAND)
Density [DATA_NEEDED: device density] 1 Tb
Cell Type [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC] TLC (3 bits/cell)
メモリ構成 [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Bus Width [DATA_NEEDED: x8 or x16] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC range in V]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ range in V]
インターフェース [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle DDR] —
Page Program Time [DATA_NEEDED: tPROG] —
Page Read Time [DATA_NEEDED: tR] —
Block Erase Time [DATA_NEEDED: tBERS] —
Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
パッケージ [DATA_NEEDED: package code, e.g. FBGA] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range in C]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
インターフェースタイプ — [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode]
Page Size — [DATA_NEEDED: page size in KB]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — BGA
Package Code — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Grade Suffix — BCK0

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼