K9KUGY8J7C-BCK0 vs K9JUGY8J5C-BCK0 比較

詳細な並列比較: K9KUGY8J7C-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9JUGY8J5C-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ 生産中
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K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9KUGY8J7C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.55 $0.00
メモリタイプ NAND Flash (TLC V-NAND) NAND Flash (V-NAND TLC)
Density 1 Tb 1 Tb
メモリ構成 [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Cell Type TLC (3 bits/cell) Triple-Level Cell (TLC)
インターフェースタイプ [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range in V] [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range in V] [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size in KB] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance] —
Package Type BGA —
Package Code [DATA_NEEDED: package code / ball count] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range in C] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Grade Suffix BCK0 —
Manufacturer Samsung Electronics —
Technology — Samsung V-NAND (3D)
インターフェース — [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode]
Program Time (typ) — [DATA_NEEDED: tPROG]
Read Time (typ) — [DATA_NEEDED: tR]
パッケージ — [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: program/erase endurance]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

データシート&リソース

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