K9LUGY8J7D-BCK0 vs K9IUGY8J7B-BCK0 比較

詳細な並列比較: K9LUGY8J7D-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9IUGY8J7B-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9LUGY8J7D-BCK0 K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 ✓ 生産中
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K9IUGY8J7B-BCK0 K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9LUGY8J7D-BCK0 K9IUGY8J7B-BCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D V-NAND Flash Memory V-NAND Flash (raw NAND)
Memory Technology V-NAND (3D NAND flash) —
Density [DATA_NEEDED: density] 1 Tbit
Cell Type [DATA_NEEDED: cell type (MLC/TLC/QLC)] TLC (Triple-Level Cell, 3 bits/cell)
メモリ構成 [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
インターフェース [DATA_NEEDED: interface type] [DATA_NEEDED: interface type and data rate]
電源電圧 [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Erase Time (typ) [DATA_NEEDED: tBERS] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
パッケージ [DATA_NEEDED: package type and dimensions] —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
MPN — K9IUGY8J7B-BCK0
Technology — Samsung V-NAND (3D vertical NAND)
Speed Grade — BCK0
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
ライフサイクル状態 — Active

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