K9LUGY8J7D-BCK0 vs K9KUGY8J7C-BCK0 比較

詳細な並列比較: K9LUGY8J7D-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9KUGY8J7C-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9LUGY8J7D-BCK0 K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 ✓ 生産中
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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9LUGY8J7D-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $9.55
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D V-NAND Flash Memory —
Memory Technology V-NAND (3D NAND flash) —
Density [DATA_NEEDED: density] 1 Tb
Cell Type [DATA_NEEDED: cell type (MLC/TLC/QLC)] TLC (3 bits/cell)
メモリ構成 [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
インターフェース [DATA_NEEDED: interface type] —
電源電圧 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size in KB]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Erase Time (typ) [DATA_NEEDED: tBERS] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range in C]
パッケージ [DATA_NEEDED: package type and dimensions] —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス unknown Compliant
メモリタイプ — NAND Flash (TLC V-NAND)
インターフェースタイプ — [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range in V]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range in V]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — BGA
Package Code — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Grade Suffix — BCK0

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