K9LUGY8J7D-CCK0 vs K9HUGY8J5B-CCK0 比較

詳細な並列比較: K9LUGY8J7D-CCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9HUGY8J5B-CCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9LUGY8J7D-CCK0 K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 ✓ 生産中
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K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9LUGY8J7D-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $9.60
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
メモリタイプ NAND Flash (V-NAND) 3D V-NAND TLC Flash
Memory Cell Type TLC (Triple-Level Cell) —
Technology V-NAND (vertical NAND) —
パッケージ BGA (surface mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース [DATA_NEEDED: interface type / toggle DDR mode] —
Density [DATA_NEEDED: total density (bits)] [DATA_NEEDED: density]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage (V)] [DATA_NEEDED: supply voltage]
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range (C)] [DATA_NEEDED: operating temperature]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention] —
Speed Grade Code CCK0 (per Samsung part-number convention) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — [DATA_NEEDED: organization]
インターフェースタイプ — [DATA_NEEDED: interface type]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Access Time — [DATA_NEEDED: access time]
Package Type — [DATA_NEEDED: package type]
ピン数 — [DATA_NEEDED: pin count]

データシート&リソース

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