K9XXG08UXM vs K9XXG08U0M 比較

詳細な並列比較: K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics および K9XXG08U0M メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete
Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete

仕様比較

パラメータ K9XXG08UXM K9XXG08U0M
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $5.60
メモリサイズ 2G x 8 Bit (2Gb) —
Memory Cell Array Organization (1G + 32M) bit x 8 bit —
Data Register (2K + 64) bit x 8 bit —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (3.3V device)
Page Size (2K + 64) Byte —
Block Size (256K + 8K) Byte —
Program Operation Automatic Page Program, (2K + 64) Byte —
Erase Operation Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte —
I/O Interface 8-bit multiplexed address/data/command —
Control Signals CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B —
Cell Type SLC (single-level cell) NAND SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants)
パッケージ 48-pin TSOP 48-pin TSOP-I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: Access Time] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリタイプ — NAND Flash
Density — 8 G-bit
メモリ構成 — 1G x 8 bit
Spare Area — 256 M-bit (per K9K8G08U0M)
インターフェース — 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed)
Page Read Time — 20 us
Access Interface Standard — Samsung legacy NAND command set
Bad Block Management — Factory bad block marking (host-managed ECC required)
ECC Requirement — External ECC by host controller
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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